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產(chǎn)品詳情
首頁 > 產(chǎn)品中心 > 物理實(shí)驗(yàn)儀器 > 反射膜厚儀 > HD-FT50NIR半導(dǎo)體膜厚測試儀

半導(dǎo)體膜厚測試儀

描述:半導(dǎo)體膜厚測試儀能測低至20納米的超薄薄膜,測量誤差小于1納米,最快每秒可測100次,重復(fù)測量精度高達(dá)0.05納米。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體與微電子制造、顯示面板、光學(xué)器件制造、生物醫(yī)學(xué)、汽車及新材料與新能源研發(fā)等領(lǐng)域,能滿足從晶圓鍍膜、顯示面板薄膜到光學(xué)元件鍍膜、醫(yī)用植入物涂層、汽車玻璃膜層及新能源薄膜的高精度厚度檢測需求,助力各行業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量與研發(fā)效率。

更新時(shí)間:2026-03-10
產(chǎn)品型號(hào):HD-FT50NIR
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
詳情介紹

反射膜厚儀是一款精準(zhǔn)又好用的薄膜厚度測量設(shè)備。它能測低至20納米的超薄薄膜,測量誤差小于1納米,最-快每秒可測100次,重復(fù)測量精度高達(dá)0.05納米。它采用雙光源組合,覆蓋紫外到紅外全光譜,抗干擾能力強(qiáng),在振動(dòng)或復(fù)雜環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體與微電子制造、顯示面板、光學(xué)器件制造、生物醫(yī)學(xué)、汽車及新材料與新能源研發(fā)等領(lǐng)域,能滿足從晶圓鍍膜、顯示面板薄膜到光學(xué)元件鍍膜、醫(yī)-用植入物涂層、汽車玻璃膜層及新能源薄膜的高精度厚度檢測需求,助力各行業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量與研發(fā)效率。
半導(dǎo)體膜厚測試儀的產(chǎn)品特點(diǎn):

1. 精準(zhǔn)測量:支持20nm超薄膜厚檢測,準(zhǔn)確度±1nm、重復(fù)精度0.05nm,滿足精密檢測需求;

2. 高速采樣:最-高采樣速度100Hz,適配產(chǎn)線快速檢測,提升測量效率;

3. 寬光譜覆蓋:采用氘鹵組合光源,光譜覆蓋紫外至近紅外,可解析單層/多層膜厚;

4. 強(qiáng)抗干擾性:高靈敏度元器件搭配抗干擾光學(xué)系統(tǒng)+多參數(shù)反演算法,復(fù)雜環(huán)境下測量穩(wěn)定;

5. 靈活易適配:支持自定義膜結(jié)構(gòu)測量,設(shè)備小巧易安裝,配套軟件及二次開發(fā)包,適配實(shí)驗(yàn)室/產(chǎn)線多場景。

半導(dǎo)體膜厚測試儀的測試原理:

反射膜厚儀基于白光干涉原理工作,光源發(fā)出的寬帶光入射至待測薄膜表面后,經(jīng)薄膜上下表面反射形成的兩束反射光會(huì)因光程差產(chǎn)生干涉,干涉信號(hào)中包含薄膜厚度、光學(xué)常數(shù)等關(guān)鍵信息,設(shè)備通過探頭采集干涉后的反射光譜,對(duì)特定波段范圍內(nèi)的光譜進(jìn)行模型擬合后,即可反演解析出薄膜的厚度、光學(xué)常數(shù)及粗糙度等參數(shù),整個(gè)系統(tǒng)由高強(qiáng)度組合光源提供寬光譜入射光,經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)傳輸至樣品,反射光返回后由高速光譜模塊采集信號(hào),最終通過上位機(jī)軟件完成數(shù)據(jù)處理與結(jié)果輸出。

技術(shù)參數(shù)

型號(hào)HD-FT50UVHD-FT50NIR
建議工作距離非聚焦光束,安裝距離5至10mm安裝側(cè)面出光附加鏡時(shí):34.5mm±2mm;
軸向出光時(shí):55mm±2mm;
測量角度±10°±5°
光斑類型彌散光斑;在10mm安裝距離時(shí),光斑直徑約為4mm;聚焦光斑;約200μm
探頭外徑*長度Φ6.35*3200mm3Φ20*73mm
探頭重量190g108g(探頭)、49g(附加鏡)
光源類型氘鹵光源鹵素光源
波長范圍190-1100nm400-1100nm;1000-1700nm
測厚范圍約20nm~50μm(折射率1.5時(shí))約50nm~50μm(折射率1.5時(shí))
適配探頭UV-VISVIS-NIR軸向;
VIS-NIR徑向;(標(biāo)配其一)
可連探頭數(shù)量1
探頭防護(hù)等級(jí)IP40
重復(fù)精度0.05nm
準(zhǔn)確度<±1nm或±0.3%(取較大值)
采樣頻率Max.100Hz(視求解參數(shù)復(fù)雜度而定)
測控軟件專用上位機(jī)軟件
電源電壓220V±20V50HzAC/
最-大功率50W
工作溫度-10至+40℃
相對(duì)濕度20%至85%RH(無冷凝)
控制器重量約5000g



半導(dǎo)體膜厚測試儀


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